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2SD896Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：120V
集电极-发射极电压（V_CEO）：100V
发射极-基极电压（V_EBO）：6V
集电极电流（I_C）：7A（连续），峰值 11A
集电极耗散功率（P_C）：70W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ I_C=4A
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 200 @ I_C=1A
与 2SB776（PNP）互补配对
封装：TO-3PN

2SD896 是一款 100V / 7A / 70W 的 NPN 功率三极管，采用 TO-3PN 封装，内置均流电阻、安全工作区宽，与 2SB776（PNP）互补，适用于 100V/7A、40W 级音频功放输出。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3PN	Single-N	120	100	6	7	70	2.0	60 ~ 200	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	7	A
I_CM	集电极电流（峰值）	11	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	70	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=50mA；R_BE=∞	100	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=5mA；I_E=0	120	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=5mA；I_C=0	6	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.4A	0.6	2.0	V
V_BE	基极-发射极开启电压	I_C=1A；V_CE=5V	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0	--	0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	0.1	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	60	200	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=5V	20	--	--
f_T	特征频率	I_C=1A；V_CE=5V	15	--	MHz
C_ob	输出电容	V_CB=10V；f=1MHz	--	140	pF

应用

音频功率放大40W 级功放输出级，与 2SB776 互补推挽。
通用功率放大大电流线性放大与驱动。
串联稳压大电流串联调整管。
功率开关中等频率的大电流通断控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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