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2SD986 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：150V
集电极-发射极电压（V_CEO）：80V
发射极-基极电压（V_EBO）：8V
集电极电流（I_C）：1.5A（连续），峰值 3A
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：1.5V（Max）@ I_C=1A
高直流电流增益（h_FE）：2000 ~ 30000 @ I_C=1A
封装：TO-126

2SD986 是一款 80V / 1.5A / 10W 的 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-126 封装，电流增益高、饱和压降低，可直接由 IC 输出驱动，适用于低频功率放大与功率开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-126	Single-N	150	80	8	1.5	10	1.5	2000 ~ 30000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	8	V
I_C	集电极电流（连续）	1.5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	3	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=1mA	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=1mA	--	2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	2.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=2V	1000	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=2V	2000	30000	--

应用

低频功率放大音频功放输出级与大电流缓冲级。
继电器与电磁阀驱动高增益特性可由 IC 直接驱动，无需前置推动级。
灯组与打印头驱动脉冲大电流负载的开关驱动。
开关电源中小功率开关与稳压电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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