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2SD998 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：120V
集电极-发射极电压（V_CEO）：120V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：10A
集电极耗散功率（P_C）：80W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=2.5V（Max）@ I_C=5A，I_B=0.5A
直流电流增益：h_FE=55 ~ 160 @ I_C=1A
推荐用于 45 ~ 50W 音频功放输出级
封装：TO-3PML（B-C-E）

2SD998 是一款 120V / 10A 硅 NPN 功率三极管，采用 TO-3PML 封装，具有 80W 的集电极耗散功率与 10A 的大电流能力，推荐用于 45 ~ 50W 音频功率放大器输出级，与 PNP 型的 2SB778 构成互补对管，也适用于各类大功率放大与开关电路。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)	T_j (℃)	Structure
TO-3PML	NPN	120	120	10	80	55~160	2.5	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	80	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=50mA；I_B=0	120	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	2.5	V
V_BE	基极-发射极导通电压	I_C=0.5A；V_CE=5V	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V；I_E=0	--	10	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	μA
h_FE	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	55	160	--

应用

音频功率放大器45 ~ 50W 音频功放输出级，与 2SB778 互补推挽。
大功率放大大功率线性放大与推动级。
稳压电源串联稳压与功率调整环节。
通用功率开关中大功率开关与驱动电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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