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2STD2360Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-60V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-60V
发射极-基极电压（V_EBO）：-6V
集电极电流（I_C）：-3A（峰值 -5A）
集电极耗散功率（P_tot）：15W @ T_amb=25℃
极低饱和压降：V_CE(sat)=-0.5V（Max）@ I_C=-3A
高电流增益：h_FE=160（Min）@ I_C=-1A
快速开关，f_T=130MHz（Min）
封装：DPAK（TO-252）

2STD2360 是一款采用 PB-HDC（功率双极高密度电流）工艺的硅 PNP 功率三极管，DPAK（TO-252）贴片封装，具有 -60V/-3A 的电压电流能力、极低的饱和压降与高电流增益，适用于应急照明、LED 驱动、稳压与继电器驱动等场合，与 2STD1360 系列（NPN）互补配对。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
DPAK	Single-P	-60	-60	-6	-3	-0.5	80	400	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_amb=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（I_E=0）	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压（I_B=0）	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压（I_C=0）	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-3	A
I_CM	集电极峰值电流（t_p<5ms）	-5	A
I_B	基极电流	-0.2	A
I_BM	基极峰值电流（t_p<5ms）	-0.4	A
P_tot	总耗散功率 @ T_amb=25℃	15	W
T_J	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-a}	结-环境热阻（PCB 面积 1cm²）	8.3	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-60V	--	-100	nA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-6V	--	-100	nA
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	V_CE=-2V；I_C=-100mA	-0.63	-0.73	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-2A；I_B=-100mA	--	-0.3	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-3A；I_B=-150mA	--	-0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=-2A；I_B=-100mA	--	-1.2	V
h_FE	直流电流增益	I_C=-100mA；V_CE=-2V	80	--	--
h_FE	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-2V	160	400	--
f_T	特征频率	I_C=-0.1A；V_CE=-10V	130	--	MHz

应用

应急照明与 LED 驱动应急灯具、LED 照明的恒流/开关驱动。
电压调整线性稳压与串联调整电路。
继电器驱动继电器、小型电磁负载的驱动级。
电池充电电池充电电路中的功率控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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