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2STW100Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

TO-3PN 封装
集电极-发射极电压（V_CEO）：80V
集电极电流（I_C）：25A（峰值 40A）
极高直流电流增益（h_FE）：500 ~ 12000 @ I_C=10A
单片达林顿结构，内置集电极-发射极反向并联二极管
集电极耗散功率（P_C）：130W
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.96℃/W
与 2STW200（PNP）互补配对

2STW100 是 ISC 自主型号硅 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-3PN 封装，具有 80V/25A 的电压电流能力与极高的直流电流增益，内置集电极-发射极反向并联二极管，与 PNP 型 2STW200 互补配对，适用于 AC-DC 电机控制、电子点火与交流发电机调节器等应用。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3PN	Single-N	80	80	5	25	1.75	500	12000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	25	A
I_CM	集电极电流（峰值）	40	A
I_B	基极电流（连续）	6	A
P_C	集电极耗散功率	130	W
T_j	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.96	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	62.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=50mA；I_B=0	80	--	V
V_CE(sat)1	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=20mA	--	1.2	V
V_CE(sat)2	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=40mA	--	1.75	V
V_CE(sat)3	集电极-发射极饱和压降	I_C=20A；I_B=80mA	--	3.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=20A；I_B=80mA	--	3.3	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=10A；V_CE=3V	--	3.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0	--	50	µA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=80V；I_B=0	--	50	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	2	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=3V	600	15000	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=3V	500	12000	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=20A；V_CE=3V	300	6000	--

应用

AC-DC 电机控制AC-DC 电机控制（AC-DC motor control）应用。
电子点火电子点火（Electronic ignition）应用。
交流发电机调节器交流发电机调节器（Alternator regulator）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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