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BD136 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-45V
集电极-发射极维持电压：V_CEO(SUS)=-45V（Min）
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-1.5A
集电极耗散功率（P_C）：12.5W @ T_C=25℃（1.25W @ T_a=25℃）
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.5V（Max）@ I_C=-0.5A
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 250 @ I_C=-0.15A
与 BD135（NPN）互补配对
封装：TO-126

BD136 是一款硅 PNP 功率三极管，具有 -45V/-1.5A 的电压电流能力，专为采用互补或准互补电路的音频放大器和驱动器设计，与 BD135（NPN）配对使用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Range	Structure
TO-126	Single-P	-45	-45	-5	-1.5	12.5 (T_C=25℃)	-0.5	40~250	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-45	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-45	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-1.5	A
I_B	基极电流（连续）	-0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.25	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	12.5	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	10	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	100	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=-30mA；I_B=0	-45	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-0.5A；I_B=-50mA	--	-0.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-0.5A；V_CE=-2V	--	-1.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-30V；I_E=0	--	-0.1	µA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-30V；I_E=0；T_C=125℃	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-5mA；V_CE=-2V	25	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-0.5A；V_CE=-2V	25	--	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=-0.15A；V_CE=-2V	40	250	--

应用

音频放大器音频放大器（Audio Amplifiers）应用。
驱动级电路采用互补或准互补电路的驱动器（Drivers）应用。
电视电路电视机电路驱动级应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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