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BD234 国产替代PNP Power Transistor

PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压 V_CBO：-45V
集电极-发射极电压 V_CEO：-45V
集电极电流 I_C：-2A（连续）/ -6A（峰值）
集电极耗散功率 P_C：25W（T_C=25℃）/ 1.25W（T_a=25℃）
与 BD233 互补
封装：TO-126

BD234 是一款 -45V/-2A 的中功率 PNP 三极管，TO-126 封装，与 BD233 构成互补对管，线性好、饱和压降低，适用于音频放大、线性稳压与中等功率开关场合，为 Fairchild（现 onsemi）/ ST 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE (Min)	T_j (℃)
TO-126	-45	-2	25	40	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-45	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-45	V
V_CER	集电极-发射极电压（R_BE≤50Ω）	-45	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-2	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	-6	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	25	W
P_C	集电极耗散功率（T_a=25℃）	1.25	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	5.0	℃/W
R_th(j-a)	结到环境热阻	100	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=-100mA；I_B=0	-45	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-45V；I_E=0	--	-100	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-1	mA
h_FE-1	直流电流增益	V_CE=-2V；I_C=-150mA	40	--	--
h_FE-2	直流电流增益	V_CE=-2V；I_C=-1A	25	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-1A；I_B=-0.1A	--	-0.6	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	V_CE=-2V；I_C=-1A	--	-1.3	V

应用

音频放大音频功率放大与前置驱动级。
线性稳压线性稳压电源与串联调整电路。
中功率开关中等功率开关与驱动电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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