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BD239 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com

描述 参数 应用 技术支持

描述

产品简介

BD239 系列(BD239 / BD239A / BD239B / BD239C)是硅 NPN 中等功率三极管,采用 TO-220C 封装,集电极-发射极电压覆盖 45V ~ 100V 四档,集电极电流 2A、耗散功率 30W,饱和压降低、增益一致性好,与 PNP 型 BD240 系列互补配对,适用于中等功率线性放大与开关应用,为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

PackageConfigurationVCBO (V)VCEO (V)VEBO (V)IC (A)VCE(sat) (V)hFE MinhFE MaxStructure
TO-220CSingle-N5545520.715--Silicon NPN

绝对最大额定值(Ta=25℃)

符号参数数值单位
VCER集电极-基极电压 - BD23955V
VCER集电极-基极电压 - BD239A70V
VCER集电极-基极电压 - BD239B90V
VCER集电极-基极电压 - BD239C115V
VCEO集电极-发射极电压 - BD23945V
VCEO集电极-发射极电压 - BD239A60V
VCEO集电极-发射极电压 - BD239B80V
VCEO集电极-发射极电压 - BD239C100V
VEBO发射极-基极电压5V
IC集电极电流(连续)2A
ICM集电极电流(峰值)4A
IB基极电流(连续)0.6A
PC集电极耗散功率 @ TC=25℃30W
TJ结温150℃
Tstg存储温度范围-65 ~ 150℃

热特性

符号参数最大值单位
Rth j-c结-壳热阻4.16℃/W

电气特性(TC=25℃,另有说明除外)

符号参数测试条件最小最大单位
VCEO集电极-发射极电压 - BD239IC=10mA;IB=045--V
VCEO集电极-发射极电压 - BD239AIC=10mA;IB=060--V
VCEO集电极-发射极电压 - BD239BIC=10mA;IB=080--V
VCEO集电极-发射极电压 - BD239CIC=10mA;IB=0100--V
VCE(sat)集电极-发射极饱和压降IC=1A;IB=0.2A--0.7V
VBE(on)基极-发射极导通电压IC=1A;VCE=4V--1.3V
ICBO集电极截止电流 - BD239VCB=45V;IE=0--0.2mA
ICBO集电极截止电流 - BD239AVCB=60V;IE=0--0.2mA
ICBO集电极截止电流 - BD239BVCB=80V;IE=0--0.2mA
ICBO集电极截止电流 - BD239CVCB=100V;IE=0--0.2mA
ICEO集电极截止电流 - BD239 / BD239AVCE=30V;IB=0--0.3mA
ICEO集电极截止电流 - BD239B / BD239CVCE=60V;IB=0--0.3mA
IEBO发射极截止电流VEB=5V;IC=0--1.0mA
hFE-1直流电流增益IC=0.2A;VCE=4V40----
hFE-2直流电流增益IC=1A;VCE=4V15----

应用

  1. 中等功率线性放大中等功率线性放大(Medium power linear)应用。
  2. 开关应用开关(Switching applications)应用。

注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司:无锡固电半导体股份有限公司(ISC)

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