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BD241Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：45V
集电极-发射极电压（V_CER，R_BE=100Ω）：55V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：3A（峰值 5A）
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃（2W @ T_a=25℃）
饱和压降：V_CE(sat)=1.2V（Max）@ I_C=3A，I_B=0.6A
直流电流增益（h_FE）：25（Min）@ I_C=1A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：3.13℃/W
与 BD242（PNP）互补配对
封装：TO-220

BD241 是一款 45V / 3A 的 NPN 外延基极型功率三极管，采用 TO-220 封装，与 BD242（PNP）互补配对，适用于中等功率线性放大与开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CEO (V)	V_CER (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-220	Single-N	45	55	5	3	40	1.2	25	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO	集电极-发射极电压（I_B=0）	45	V
V_CER	集电极-发射极电压（R_BE=100Ω）	55	V
V_EBO	发射极-基极电压（I_C=0）	5	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_CP	集电极电流（峰值）	5	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	2	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.13	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	62.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA；I_B=0	45	--	V
I_CES	集电极截止电流	V_CE=45V；V_BE=0	--	0.2	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	0.3	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=4V	25	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.6A	--	1.2	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=3A；V_CE=4V	--	1.8	V

应用

中等功率放大音频与线性放大器的输出级。
串联稳压串联型稳压电源的调整管。
开关电路中等功率开关与驱动电路。
通用功率输出各类互补配对功率输出场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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