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BD242Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：-45V
集电极-发射极电压（V_CER）：-55V
集电极电流（I_C）：-3A（脉冲 -5A）
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：25（Min）@ I_C=-1A
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.2V（Max）@ I_C=-3A
与 BD241（NPN）互补配对
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

BD242 是一款硅 PNP 外延平面功率三极管，采用 TO-220 封装，具有 -45V/-3A 的电压电流能力与 40W 的集电极耗散功率，饱和压降低、线性度好，与 NPN 型 BD241 互补配对，适用于音频放大、线性稳压与通用开关等场景。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-220	Single-P	45	45	5	3	1.2	25	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO	集电极-发射极电压	-45	V
V_CER	集电极-发射极电压（基极-发射极加电阻）	-55	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-3	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	-5	A
I_B	基极电流	-1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=-30mA；I_B=0	-45	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-30V；I_B=0	--	-0.3	mA
I_CES	集电极截止电流	V_CE=-45V；V_BE=0	--	-0.2	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-1	mA
h_FE-1	直流电流增益	V_CE=-4V；I_C=-1A	25	--	--
h_FE-2	直流电流增益	V_CE=-4V；I_C=-3A	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-0.6A	--	-1.2	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	V_CE=-4V；I_C=-3A	--	-1.8	V

应用

音频放大音频放大与功率放大（Audio and power amplifier）应用。
线性稳压线性稳压电源（Linear regulator）应用。
通用开关通用开关（General purpose switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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