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BD243Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：45V
集电极-发射极电压（V_CEO）：45V
集电极电流（I_C）：6A（脉冲 10A）
集电极耗散功率（P_C）：65W @ T_C=25℃
饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=6A，I_B=1A
直流电流增益（h_FE）：30（Min）@ I_C=0.3A；15（Min）@ I_C=3A
与 BD244（PNP）互补配对
封装：TO-220

BD243 是一款 45V / 6A / 65W 的 NPN 外延平面型硅功率三极管，采用 TO-220 封装，与 BD244（PNP）互补，适用于中等功率的线性放大与开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-220	Single-N	45	45	5	6	65	1.5	30	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	45	V
V_CEO	集电极-发射极电压	45	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（直流）	6	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	10	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	65	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA；I_B=0	45	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	0.7	mA
I_CES	集电极截止电流	V_CE=45V；V_BE=0	--	0.4	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.3A；V_CE=4V	30	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	15	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=1A	--	1.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=6A；V_CE=4V	--	2	V

应用

线性功率放大与 BD244 互补，用于音频与伺服放大输出级。
串联稳压中等功率线性稳压电源的调整管。
开关电路继电器、电磁阀与灯负载的通断驱动。
电机驱动中小功率直流电机的驱动级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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