Silicon PNP Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
BD244B 是一款 -80V、-6A 的硅 PNP 外延平面功率三极管，采用 TO-220 封装，与 BD243B 构成互补对管，适用于通用功率放大与开关电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-220 | Single-P | -80 | -80 | -5 | -6 | -1.5 | 30 | -- | Silicon PNP |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | -80 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | -80 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | -5 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | -6.0 | A |
| ICM | 集电极电流（脉冲） | -10 | A |
| IB | 基极电流 | -2.0 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 65 | W |
| TJ | 结温 | -65 ~ 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -65 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 1.92 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VCEO(SUS) | 集电极-发射极维持电压 | IC=-30mA；IB=0 | -80 | -- | V |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-6A；IB=-1A | -- | -1.5 | V |
| VBE(on) | 基极-发射极开启电压 | IC=-6A；VCE=-4V | -- | -2.0 | V |
| ICES | 集电极截止电流 | VCE=-80V；VBE=0 | -- | -0.4 | mA |
| ICEO | 集电极截止电流 | VCE=-60V；IB=0 | -- | -0.7 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=-5V；IC=0 | -- | -1.0 | mA |
| hFE-1 | 直流电流增益 | IC=-0.3A；VCE=-4V | 30 | -- | -- |
| hFE-2 | 直流电流增益 | IC=-3A；VCE=-4V | 15 | -- | -- |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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