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BD245C 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com

描述 参数 应用 技术支持

描述

产品简介

BD245C 系列(BD245 / BD245A / BD245B / BD245C)是硅 PNP 功率三极管,采用 TO-3PN 封装,集电极-发射极电压覆盖 -45V ~ -100V 四档,集电极电流 -10A、耗散功率 80W,与 NPN 型 BD246 系列互补配对,适用于通用功率放大与开关应用,为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

PackageConfigurationVCBO (V)VCEO (V)VEBO (V)IC (A)VCE(sat) (V)hFE MinhFE MaxStructure
TO-3PNSingle-P1151005104.04--Silicon PNP

绝对最大额定值(Ta=25℃)

符号参数数值单位
VCER集电极-发射极电压(RBE=100Ω) - BD245-55V
VCER集电极-发射极电压(RBE=100Ω) - BD245A-70V
VCER集电极-发射极电压(RBE=100Ω) - BD245B-90V
VCER集电极-发射极电压(RBE=100Ω) - BD245C-115V
VCEO集电极-发射极电压 - BD245-45V
VCEO集电极-发射极电压 - BD245A-60V
VCEO集电极-发射极电压 - BD245B-80V
VCEO集电极-发射极电压 - BD245C-100V
VEBO发射极-基极电压-5.0V
IC集电极电流(连续)-10A
ICM集电极电流(峰值)-15A
IB基极电流(连续)-3A
PC集电极耗散功率 @ TC=25℃80W
TJ结温-65 ~ 150℃
Tstg存储温度-65 ~ 150℃

热特性

符号参数最大值单位
Rth j-c结-壳热阻1.56℃/W
Rth j-a结-环境热阻42℃/W

电气特性(TC=25℃,另有说明除外)

符号参数测试条件最小最大单位
V(BR)CEO集电极-发射极击穿电压 - BD245IC=-30mA;IB=0-45--V
V(BR)CEO集电极-发射极击穿电压 - BD245AIC=-30mA;IB=0-60--V
V(BR)CEO集电极-发射极击穿电压 - BD245BIC=-30mA;IB=0-80--V
V(BR)CEO集电极-发射极击穿电压 - BD245CIC=-30mA;IB=0-100--V
VCE(sat)集电极-发射极饱和压降IC=-3A;IB=-0.3A---1.0V
VCE(sat)集电极-发射极饱和压降IC=-10A;IB=-2.5A---4.0V
VBE(on)基极-发射极导通电压IC=-3A;VCE=-4V---1.6V
VBE(on)基极-发射极导通电压IC=-10A;VCE=-4V---3.0V
ICES集电极截止电流VCE=-55V;VBE=0---0.4mA
ICEO集电极截止电流VCE=-30V;IB=0---0.7mA
IEBO发射极截止电流VEB=-5V;IC=0---1.0mA
hFE-1直流电流增益IC=-1A;VCE=-4V40----
hFE-2直流电流增益IC=-3A;VCE=-4V20----
hFE-3直流电流增益IC=-10A;VCE=-4V4----

应用

  1. 功率放大通用功率放大(General purpose power amplifier)应用。
  2. 开关应用开关(Switching)应用。

注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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