BD249C 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：45V / 60V / 80V / 100V（四档）
集电极-基极电压（V_CBO）：55V / 70V / 90V / 115V（四档）
集电极电流（I_C）：25A（峰值 40A）
饱和压降：V_CE(sat)=4.0V（Max）@ I_C=25A，I_B=5A
集电极耗散功率（P_C）：125W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：25（Min）@ I_C=1.5A；5（Min）@ I_C=25A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.0℃/W
与 BD250/A/B/C（PNP）互补配对
封装：TO-218（基极 1 / 集电极 2 / 发射极 3）

BD249C 系列（BD249 / BD249A / BD249B / BD249C）是硅 NPN 高功率三极管，集电极-发射极电压覆盖 45V ~ 100V 四档，集电极电流 25A、耗散功率 125W，与 PNP 型 BD250 系列互补配对，适用于通用功率放大与开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-218	Single-N	115	100	5	25	4.0	5	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压 - BD249	55	V
V_CBO	集电极-基极电压 - BD249A	70	V
V_CBO	集电极-基极电压 - BD249B	90	V
V_CBO	集电极-基极电压 - BD249C	115	V
V_CEO	集电极-发射极电压 - BD249	45	V
V_CEO	集电极-发射极电压 - BD249A	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压 - BD249B	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压 - BD249C	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	25	A
I_CM	集电极电流（峰值）	40	A
I_B	基极电流（连续）	5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	125	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压 - BD249	I_C=30mA；I_B=0	45	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压 - BD249A	I_C=30mA；I_B=0	60	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压 - BD249B	I_C=30mA；I_B=0	80	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压 - BD249C	I_C=30mA；I_B=0	100	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=15A；I_B=1.5A	--	1.8	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=25A；I_B=5A	--	4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=15A；V_CE=4V	--	2.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=25A；V_CE=4V	--	4.0	V
I_CEO	集电极截止电流 - BD249 / BD249A	V_CE=30V；I_B=0	--	1.0	mA
I_CEO	集电极截止电流 - BD249B / BD249C	V_CE=60V；I_B=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1.5A；V_CE=4V	25	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=15A；V_CE=4V	10	--	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=25A；V_CE=4V	5	--	--

应用

功率放大通用功率放大（General purpose power amplifier）应用。
开关应用开关（Switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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