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BD250C 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-115V
集电极电流（I_C）：-25A（峰值 -40A）
饱和压降：V_CE(sat)=-4.0V（Max）@ I_C=-25A
总耗散功率（P_C）：125W @ T_a=25℃
直流电流增益（h_FE）：5（Min）@ I_C=-25A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.0℃/W
与 BD249 系列（NPN）互补配对
封装：TO-218

BD250C 是一款硅 PNP 功率三极管，具有 -100V/-25A 的电压电流能力与 125W 的耗散功率，大电流下饱和压降特性好，适用于功率开关与工业驱动等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-218	Single-P	115	100	5	25	4.0	5	--	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-115	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5.0	V
I_C	集电极电流（连续）	-25	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-40	A
I_B	基极电流（连续）	-5.0	A
P_C	总耗散功率	125	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-100	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-15A；I_B=-1.5A	--	-1.8	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-25A；I_B=-5A	--	-4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-15A；V_CE=-4V	--	-2.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-25A；V_CE=-4V	--	-4.0	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-60V；I_B=0	--	-1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-1.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=-1.5A；V_CE=-4V	25	--	--
h_FE	直流电流增益	I_C=-15A；V_CE=-4V	10	--	--
h_FE	直流电流增益	I_C=-25A；V_CE=-4V	5.0	--	--

应用

功率开关功率开关（Power switches）应用。
工业驱动工业驱动（Industrial drives）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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