2N3055 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：60V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：1.1V（Max）@ I_C=4A
集电极电流（I_C）：15A；基极电流（I_B）：7A
总耗散功率（P_C）：115W
直流电流增益 h_FE：20 ~ 70 @ I_C=4A，V_CE=4V
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.52℃/W
封装：TO-3

2N3055 是一款硅 NPN 功率三极管，具有宽 safe 工作区与大电流能力，适用于开关稳压器（Switching Regulators）与放大器（Amplifiers）应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3	Single-N	100	60	7	15	1.1	20	70	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_B	基极电流	7	A
P_C	总耗散功率	115	W
T_J	工作结温	-65 ~ 200	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.52	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA，I_B=0A	60	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V，I_B=0A	--	0.7	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V，I_C=0A	--	5.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=4A，V_CE=4V	20	70	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=10A，V_CE=4V	5.0	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A，I_B=0.4A	--	1.1	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A，I_B=3.3A	--	3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=4A，V_CE=4V	--	1.5	V

应用

开关稳压器开关稳压（Switching Regulators）功率电路。
放大器功率放大（Amplifiers）电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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