2N4923 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：80V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：80V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：0.6V（Max）@ I_C=1A
集电极电流（I_C）：1.0A；峰值 I_CM=3.0A
总耗散功率（P_D）：30W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：30 ~ 150 @ I_C=0.5A，V_CE=1V
低饱和压降、优异的安全工作区
结-壳热阻（R_{th j-c}）：4.16℃/W
封装：TO-126

2N4923 是一款硅 NPN 中功率三极管，具有低饱和压降与优异的安全工作区，用于驱动电路、开关及放大应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	80	80	5	1.0	0.6	30	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	1.0	A
I_CM	集电极电流（峰值）	3.0	A
I_B	基极电流（连续）	1.0	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	4.16	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极维持电压	I_C=100mA，I_B=0	80	--	V
I_CB0	集电极-基极截止电流	V_CB=80V，I_E=0	--	0.1	mA
I_CEO	集电极-发射极截止电流	V_CE=40V，I_B=0	--	0.5	mA
I_EBO	发射极-基极截止电流	V_EB=5V，I_C=0	--	1.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=50mA，V_CE=1V	40	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=0.5A，V_CE=1V	30	150	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=1A，V_CE=1V	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A，I_B=0.1A	--	0.6	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=1A，I_B=0.1A	--	1.3	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=1A，V_CE=1V	--	1.3	V

应用

驱动电路功率驱动电路。
开关应用中功率开关电路。
放大应用放大器电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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