Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
2N6036 是一款硅 PNP 达林顿功率三极管，内置高增益达林顿结构，具有高直流电流增益与较宽的安全工作区，适用于通用放大与低速开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-126 | PNP Darlington | -80 | -80 | -5 | -4 | -2.0 | 750 | 15000 | Silicon PNP Darlington |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | -80 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | -80 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | -5 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | -4 | A |
| ICM | 集电极电流（峰值） | -8 | A |
| IB | 基极电流 | -0.1 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 40 | W |
| TJ | 工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -65 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 3.12 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VCEO(SUS) | 集电极-发射极维持电压 | IC=-100mA，IB=0 | -80 | -- | V |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=-80V，IE=0 | -- | -0.1 | mA |
| ICEO | 集电极截止电流 | VCE=-60V，IB=0 | -- | -0.1 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=-5V，IC=0 | -- | -2.0 | mA |
| hFE1 | 直流电流增益 | IC=-0.5A，VCE=-3V | 500 | -- | -- |
| hFE2 | 直流电流增益 | IC=-2A，VCE=-3V | 750 | 15000 | -- |
| hFE3 | 直流电流增益 | IC=-4A，VCE=-3V | 100 | -- | -- |
| VCE(sat)① | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-2A，IB=-8mA | -- | -2.0 | V |
| VCE(sat)② | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-4A，IB=-40mA | -- | -3.0 | V |
| VBE(sat) | 基极-发射极饱和压降 | IC=-4A，IB=-40mA | -- | -4.0 | V |
| VBE(on) | 基极-发射极导通电压 | IC=-2A，VCE=-3V | -- | -2.8 | V |
注：脉冲测试：脉宽 ≤300µs，占空比 ≤2%。
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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