2N6039 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：80V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：80V
集电极电流（I_C）：4A；峰值 I_CM：8A
直流电流增益 h_FE：750（Min）@ I_C=2A，V_CE=3V（最高 15000）
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ I_C=2A
最大耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
与 2N6036 互补配对
封装：TO-126

2N6039 是一款硅 NPN 达林顿功率三极管，内置高增益达林顿结构，具有高直流电流增益与较宽的安全工作区，适用于通用放大与低速开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	NPN Darlington	80	80	5	4	2.0	750	15000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_CM	集电极电流（峰值）	8	A
I_B	基极电流	0.1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.12	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=100mA，I_B=0	80	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V，I_E=0	--	0.1	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=60V，I_B=0	--	0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V，I_C=0	--	2.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=0.5A，V_CE=3V	500	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=2A，V_CE=3V	750	15000	--
h_FE3	直流电流增益	I_C=4A，V_CE=3V	100	--	--
V_CE(sat)①	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A，I_B=8mA	--	2.0	V
V_CE(sat)②	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A，I_B=40mA	--	3.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=4A，I_B=40mA	--	4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=2A，V_CE=3V	--	2.8	V

注：脉冲测试：脉宽 ≤300µs，占空比 ≤2%。

应用

通用放大通用放大电路功率级。
低速开关低速功率开关电路。
互补配对与 2N6036 配对组成互补放大/开关电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号