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2N6509 国产替代Silicon Controlled Rectifier (SCR)

Silicon Controlled Rectifier (SCR) ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

断态重复峰值电压（V_DRM）：800V
反向重复峰值电压（V_RRM）：800V
RMS 通态电流（I_T(RMS)）：25A @ T_C=85℃
平均通态电流（I_T(AV)）：16A @ T_C=85℃
非重复峰值浪涌电流（I_TSM）：250A（1/2 周期，60Hz，T_J=100℃）
门极触发电流（I_GT）：30mA（Max）
门极触发电压（V_GT）：1.5V（Max）
通态压降（V_TM）：1.8V（Max）@ I_T=50A
维持电流（I_H）：40mA（Max）

2N6509 是一款 800V / 25A 的反向阻断型单向可控硅（SCR），具有 250A 的非重复浪涌电流能力与灵敏的门极触发特性，适用于电机控制、加热控制以及电源过压保护（crowbar）等交流功率控制场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DRM/V_RRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_T(AV) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_GT (V)	I_H (mA)	V_TM (V)	T_J (℃)
TO-220AB	800	25	16	250	30	1.5	40	1.8	125

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	断态重复峰值电压	800	V
V_RRM	反向重复峰值电压	800	V
I_T(RMS)	RMS 通态电流（180° 导通，T_C=85℃）	25	A
I_T(AV)	平均通态电流（180° 导通，T_C=85℃）	16	A
I_TSM	非重复峰值通态浪涌电流（1/2 周期，60Hz，T_J=100℃）	250	A
P_GM	门极峰值功率	20	W
P_G(AV)	门极平均耗散功率	0.5	W
T_J	工作结温	125	℃
T_stg	存储温度范围	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM	反向重复峰值阻断电流	V_R=V_RRM；T_J=25℃	--	10	µA
I_DRM	断态重复峰值阻断电流	V_D=V_DRM；T_J=25℃	--	10	µA
V_TM	通态电压	I_T=50A	--	1.8	V
I_GT	门极触发电流	V_D=12V；R_L=100Ω	--	30	mA
V_GT	门极触发电压	V_D=12V；R_L=100Ω	--	1.5	V
I_H	维持电流	V_D=12V；I_GT=0.2A	--	40	mA

应用

电机控制电机调速与相位控制（Motor controls）应用。
加热控制加热功率调节（Heating controls）应用。
电源过压保护电源 crowbar 保护电路（Power supply crowbar circuits）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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