Silicon PNP Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
2N6609 是一款硅 PNP 功率三极管，与 NPN 型 2N3773 互补，专为高功率音频放大、磁盘磁头定位器及其他线性应用设计，亦可用于继电器/螺线管驱动、DC-DC 变换器、逆变器等功率开关电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-204AA（TO-3） | Single-P | -160 | -140 | -7.0 | -16 | -1.4 | 5 | 60 | Silicon PNP |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | -160 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | -140 | V |
| VCEX | 集电极-发射极电压（基极-发射极间并联电阻） | -160 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | -7.0 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | -16 | A |
| ICM | 集电极电流（单脉冲，PW=5ms，占空比≤10%） | -30 | A |
| IB | 基极电流（连续） | -4 | A |
| IBM | 基极电流（单脉冲） | -15 | A |
| PD | 集电极耗散功率 @ TC=25℃（25℃ 以上按 0.855 W/℃ 降额） | 150 | W |
| TJ, Tstg | 工作与存储温度范围 | -65 ~ +200 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| RθJC | 结-壳热阻 | 1.17 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VCEO(sus) | 集电极-发射极维持电压 | IC=-0.2A，IB=0 | -140 | -- | V |
| VCEX(sus) | 集电极-发射极维持电压 | IC=-0.1A，VBE(off)=-1.5V，RBE=100Ω | -160 | -- | V |
| VCER(sus) | 集电极-发射极维持电压 | IC=-0.2A，RBE=100Ω | -150 | -- | V |
| ICEO | 集电极截止电流 | VCE=-120V，IB=0 | -- | -10 | mA |
| ICEX | 集电极截止电流 | VCE=-140V，VBE(off)=-1.5V | -- | -2 | mA |
| ICEX | 集电极截止电流 | VCE=-140V，VBE(off)=-1.5V，TC=150℃ | -- | -10 | mA |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=-140V，IE=0 | -- | -2 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VBE=-7V，IC=0 | -- | -5 | mA |
| hFE-1 | 直流电流增益 | IC=-8A，VCE=-4V | 15 | 60 | -- |
| hFE-2 | 直流电流增益 | IC=-16A，VCE=-4V | 5 | -- | -- |
| VCE(sat)-1 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-8A，IB=-0.8A | -- | -1.4 | V |
| VCE(sat)-2 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-16A，IB=-3.2A | -- | -4.0 | V |
| VBE(on) | 基极-发射极导通电压 | IC=-8A，VCE=-4V | -- | -2.2 | V |
| hfe | 小信号电流增益 | IC=-1A，VCE=-4V，f=1kHz | 40 | -- | -- |
＊脉冲测试：脉宽=300µs，占空比≤2%。
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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