2SA1006B 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-250V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-250V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-1.0V（Max）@ I_C=-500mA
集电极电流（I_C）：-1.5A；峰值 I_CM：-3.0A
耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃；1.5W @ T_a=25℃
直流电流增益 h_FE：60 ~ 320 @ I_C=-150mA，V_CE=-5V
h_FE 线性度良好、安全工作区宽
与 2SC2336B 互补配对
封装：TO-220

2SA1006B 是一款硅 PNP 功率三极管，具有高集电极-发射极击穿电压、良好的 hFE 线性度与宽安全工作区，适用于音频功率放大与高频功率放大应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-P	-250	-250	-5	-1.5	-1.0	60	320	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-250	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-250	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-1.5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-3.0	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.5	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-500mA，I_B=-50mA	--	-1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-500mA，I_B=-50mA	--	-1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-150V，I_E=0	--	-1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-3.0V，I_C=0	--	-1.0	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-5mA，V_CE=-5V	30	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-150mA，V_CE=-5V	60	320	--

hFE 档位分类

档位	R	Q	P
h_FE 范围	60 ~ 120	100 ~ 200	160 ~ 320

应用

音频功率放大音频功率放大器功率级与驱动级。
高频功率放大高频功率放大电路。
互补配对与 2SC2336B 配对组成互补放大电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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