2SA1011 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：-160V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-180V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-0.5V（Max）@ I_C=-0.5A
集电极电流（I_C）：-1.5A；峰值 I_CM：-3.0A
最大耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：60 ~ 200 @ I_C=-0.3A，V_CE=-5V
与 2SC2344 互补配对
封装：TO-220

2SA1011 是一款硅 PNP 功率三极管，具有高集电极-发射极耐压与低饱和压降特性，与 2SC2344 互补，适用于通用开关与放大应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-P	-180	-160	-6	-1.5	-0.5	60	200	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-160	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-1.5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-3.0	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	5.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-1mA，I_E=0	-180	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA，I_B=0	-160	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-10mA，I_C=0	-6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-120V，I_E=0	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V，I_C=0	--	-10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-0.3A，V_CE=-5V	60	200	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-0.5A，I_B=-50mA	--	-0.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-10mA，V_CE=-5V	--	-1.5	V

hFE 档位分类

档位	D	E
h_FE 范围	60 ~ 120	100 ~ 200

应用

通用开关通用功率开关电路。
放大电路通用放大电路功率级。
互补配对与 2SC2344 配对组成互补放大/开关电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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