2SA1096 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-50V（Min）；2SA1096A：-60V
集电极-基极电压（V_CBO）：-70V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-1.0V（Max）@ I_C=-1.5A
集电极电流（I_C）：-2A；峰值 I_CM=-3A
最大耗散功率（P_D）：1.2W @ T_C=25℃（加散热器 5W）
直流电流增益 h_FE：80 ~ 220 @ I_C=-1A
特征频率 f_T：150MHz
封装：TO-126

2SA1096 是一款硅 PNP 功率三极管，与 2SC2497/2SC2497A 互补，用于低频功率放大，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-P	-70	-50（A: -60）	-5.0	-2	-1.0	80	220	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-70	V
V_CEO	集电极-发射极电压（2SA1096A：-60V）	-50	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5.0	V
I_C	集电极电流	-2	A
I_CM	集电极峰值电流	-3	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃（*1 无散热器）	1.2	W
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃（*2 加 100×100×2mm 铝散热器）	5	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃

电气特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-2mA，I_B=0	-50（A: -60）	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-1mA，I_E=0	-70	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-1.5A，I_B=-0.15A	--	-1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-1.5A，I_B=-0.15A	--	-1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-20V，I_E=0	--	-1	µA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-10V，I_B=0	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V，I_C=0	--	-10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-1A，V_CE=-5V	80	220	--
C_ob	集电极输出电容	V_CB=-20V，I_E=0，f=1MHz	--	55	pF
f_T	特征频率	I_E=-0.5A，V_CB=-5V，f=200MHz	150	--	MHz

h_FE 分档（CLASSIFICATIONS）

档位	Q	R
h_FE 范围	80 ~ 160	120 ~ 220

应用

低频功率放大低频功率放大电路中的功率输出与驱动。
音频功放输出级中小功率音频功放输出级。
互补推挽输出与 2SC2497/2SC2497A 配对组成互补推挽电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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