2SA1142 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：-180V
集电极-基极电压（V_CBO）：-180V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5.0V
集电极电流（I_C）：-100mA
最大耗散功率（P_D）：10W @ T_C=25℃（T_a=25℃ 1.2W）
低 C_ob、高 f_T：f_T=180MHz，C_ob=4.5pF
直流电流增益 h_FE：90 ~ 320
封装：TO-126

2SA1142 是一款硅 PNP 功率三极管，专为音频功率放大设计，具有高反压、低输出电容、高特征频率的特点，与 2SC2682 互补，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-P	-180	-180	-5.0	-0.1	-0.5	90	320	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-180	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5.0	V
I_C	集电极电流	-100	mA
P_D	总耗散功率 @ T_a=25℃	1.2	W
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃

电气特性（T_a=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
h_FE-1	直流电流增益	V_CE=-5.0V，I_C=-1.0mA（脉冲）	90	200	320	--
h_FE-2	直流电流增益	V_CE=-5.0V，I_C=-10mA（脉冲）	100	200	320	--
f_T	增益带宽积	V_CE=-10V，I_C=-20mA	--	180	--	MHz
C_ob	输出电容	V_CB=-10V，I_E=0，f=1.0MHz	--	4.5	7.0	pF
N_F	噪声系数	V_CE=-10V，I_C=-1.0mA，R_G=10kΩ，f=1.0kHz	--	4.0	--	dB
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-180V，I_E=0	--		-1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-3.0V，I_C=0	--		-1.0	µA
V_CE(sat)	集电极饱和电压	I_C=-50mA，I_B=-5.0mA（脉冲）	--	-0.5	--	V
V_BE(sat)	基极饱和电压	I_C=-50mA，I_B=-5.0mA（脉冲）	--	-0.8	-1.5	V

＊脉冲测试：脉宽=350µs，占空比≤2%。

h_FE-2 分档（CLASSIFICATIONS，V_CE=-5.0V，I_C=-10mA）

档位	Q	P
h_FE 范围	100 ~ 200	160 ~ 320

应用

音频功率放大音频功率放大电路中的前置放大与驱动级。
低噪声放大低噪声前置放大电路（N_F 典型 4.0dB）。
互补推挽放大与 2SC2682 配对组成互补推挽电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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