2SA1209 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-160V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-180V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-0.3V（Max）
集电极电流（I_C）：-140mA（脉冲 I_CP=-200mA）
最大耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
h_FE 线性好
封装：TO-126

2SA1209 是一款硅 PNP 高反压功率三极管，与 2SC2911 互补，主要用于高压开关与 100W 音频功放前置驱动（AF predriver）应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-P	-180	-160	-5	-0.14	-0.3	100	400	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-160	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-140	mA
I_CP	集电极电流（脉冲）	-200	mA
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-150mA，I_B=-15mA	--	-0.3	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-80V，I_E=0	--	-0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V，I_C=0	--	-0.1	µA
h_FE	直流电流增益	V_CE=-5V，I_C=-10mA	100	400	--

h_FE 分档（CLASSIFICATIONS）

档位	R	S	T
h_FE 范围	100 ~ 200	140 ~ 280	200 ~ 400

应用

高压开关高反压开关电路。
音频功放前置驱动100W 音频功率放大器的前置驱动级。
互补推挽驱动与 2SC2911 配对组成互补驱动电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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