2SA1220 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：-120V；2SA1220A：-160V
集电极-基极电压（V_CBO）：-120V；2SA1220A：-160V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5.0V
集电极电流（I_C）：-1.2A（脉冲 I_CM=-2.5A）
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-0.7V（Max）@ I_C=-1A
最大耗散功率（P_D）：20W @ T_C=25℃
特征频率 f_T：175MHz（典型）
封装：TO-126

2SA1220 是一款硅 PNP 功率三极管，与 2SC2690/2690A 互补，用于音频及高频功率放大，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-P	-120（A: -160）	-120（A: -160）	-5.0	-1.2	-0.7	35	320	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（2SA1220A：-160V）	-120	V
V_CEO	集电极-发射极电压（2SA1220A：-160V）	-120	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5.0	V
I_C(DC)	集电极电流（直流）	-1.2	A
I_C(pulse)	集电极电流（脉冲，PW≤10ms，占空比≤50%）	-2.5	A
I_B(DC)	基极电流（直流）	-0.3	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
P_D	总耗散功率 @ T_a=25℃	1.2	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃

电气特性（T_a=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-120V，I_E=0	--		-1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-3.0V，I_C=0	--		-1.0	µA
h_FE-1	直流电流增益	V_CE=-5.0V，I_C=-5.0mA（脉冲）	35	150	--	--
h_FE-2	直流电流增益	V_CE=-5.0V，I_C=-0.3A（脉冲）	60	140	320	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-1.0A，I_B=-0.2A（脉冲）	--	-0.4	-0.7	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-1.0A，I_B=-0.2A（脉冲）	--	-1.0	-1.3	V
f_T	特征频率	V_CE=-5.0V，I_C=-0.2A	--	175	--	MHz
C_ob	集电极输出电容	V_CB=-10V，I_E=0，f=1.0MHz	--		26	pF

＊脉冲测试：脉宽≤350µs，占空比≤2%。

h_FE-2 分档（CLASSIFICATIONS）

档位	R	Q	P
h_FE 范围	60 ~ 120	100 ~ 200	160 ~ 320

应用

立体声功放前置驱动50~100W 输出立体声功率放大器的前置驱动级。
音频功率放大音频功率放大电路中的驱动与输出级。
高频功率放大高频功率放大应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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