2SA1227 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：-140V；2SA1227A：-160V
集电极-基极电压（V_CBO）：-140V；2SA1227A：-160V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5.0V
集电极电流（I_C）：-12A（脉冲 I_CM=-20A）
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-1.5V（Max）@ I_C=-5A
最大耗散功率（P_D）：120W @ T_C=25℃
h_FE 在大电流与高频区线性良好
封装：TO-3P

2SA1227 是一款硅 PNP 功率三极管，与 2SC2987/2987A 互补，用于音频功率放大，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-P	-140（A: -160）	-140（A: -160）	-5.0	-12	-1.5	40	320	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（2SA1227A：-160V）	-140	V
V_CEO	集电极-发射极电压（2SA1227A：-160V）	-140	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5.0	V
I_C(DC)	集电极电流（直流）	-12	A
I_C(pulse)	集电极电流（脉冲，PW≤10ms，占空比≤50%）	-20	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	120	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃

电气特性（T_a=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-140V，I_E=0	--		-50	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-3V，I_C=0	--		-50	µA
h_FE-1	直流电流增益	V_CE=-5V，I_C=-2A（脉冲）	60	130	320	--
h_FE-2	直流电流增益	V_CE=-5V，I_C=-5A（脉冲）	40	110	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5.0A，I_B=-0.5A（脉冲）	--	-0.8	-1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-5.0A，I_B=-0.5A（脉冲）	--	-1.5	-2.0	V
f_T	特征频率	V_CE=-5V，I_C=-1A	--	60	--	MHz
C_ob	集电极输出电容	V_CB=-10V，I_E=0，f=1MHz	--		280	pF

＊脉冲测试：脉宽≤350µs，占空比≤2%。

h_FE-1 分档（CLASSIFICATIONS）

档位	Q	R	P
h_FE 范围	60 ~ 120	100 ~ 200	160 ~ 320

应用

音频功放输出级（单端推挽）60~80W 输出（Single PP，R_L=8Ω）音频功放输出级。
音频功放输出级（并联推挽）100~120W 输出（Para-PP，R_L=8Ω）音频功放输出级。
音频功率放大音频功率放大电路中的功率输出。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

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