2SA1263 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-80V（Min）
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-2.0V（Max）@ I_C=-5A
集电极电流（I_C）：-6A
最大耗散功率（P_C）：60W @ T_C=25℃
h_FE 线性好
封装：TO-3P

2SA1263 是一款硅 PNP 功率三极管，低饱和压降、h_FE 线性好，与 2SC3180 互补，推荐用于 40W 高保真音频功放输出级，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-P	-80	-80	-5	-6	-2.0	55	160	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-80	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-6	A
I_B	基极电流（连续）	-0.6	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.08	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-50mA，I_B=0	-80	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-80V，I_E=0	--	-5.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V，I_C=0	--	-5.0	µA
h_FE-1	直流电流增益	V_CE=-5V，I_C=-1A	55	160	--
h_FE-2	直流电流增益	V_CE=-5V，I_C=-3A	35	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A，I_B=-0.5A	--	-2.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	V_CE=-5V，I_C=-3A	--	-1.5	V

h_FE-1 分档（CLASSIFICATIONS）

档位	R	O
h_FE 范围	55 ~ 110	80 ~ 160

应用

功率放大应用音频功率放大电路中的功率输出级。
高保真功放输出级40W 高保真音频频率放大器输出级。
互补推挽输出与 2SC3180 配对组成互补推挽电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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