2SA1295 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-230V（Min）
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-2.0V（Max）@ I_C=-5A
集电极电流（I_C）：-17A
最大耗散功率（P_C）：200W @ T_C=25℃
h_FE 线性好
封装：TO-3P

2SA1295 是一款硅 PNP 功率三极管，h_FE 线性好，与 2SC3264 互补，用于音频及通用应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-P	-230	-230	-5	-17	-2.0	50	140	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-230	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-230	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-17	A
I_B	基极电流（连续）	-5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	200	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.63	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-25mA，I_B=0	-230	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-230V，I_E=0	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V，I_C=0	--	-100	µA
h_FE	直流电流增益	V_CE=-4V，I_C=-5A	50	140	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A，I_B=-0.5A	--	-2.0	V

h_FE 分档（CLASSIFICATIONS）

档位	O	Y
h_FE 范围	50 ~ 100	70 ~ 140

应用

音频放大音频功率放大电路中的功率输出级。
通用放大通用线性放大应用。
互补推挽输出与 2SC3264 配对组成互补推挽电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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