2SA1744 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

最大集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-60V（Min）
最大集电极-基极电压（V_CBO）：-100V
最大发射极-基极电压（V_EBO）：-7.0V
最大集电极电流（I_C）：-15A（连续）；单脉冲 I_CM=-30A
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-0.3V（Max）@ I_C=-8A
最大耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃
封装：TO-220F

2SA1744 是一款 Silicon PNP 功率三极管，主要用作 DC/DC 变换器和执行器（actuator）中的驱动器件，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VCBO (V)	VCEO (V)	VEBO (V)	IC (A)	VCE(sat) (V)	hFE Min	hFE Max	Structure
TO-220F	Single-P	-100	-60	-7.0	-15	-0.3	60	400	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-7.0	V
I_C	集电极电流（连续）	-15	A
I_CM	集电极电流（单脉冲）	-30	A
I_B	基极电流（连续）	-7.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_J	最大工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	4.17	℃/W

电气特性（TC=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA，I_B=0	-60	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-60V，I_E=0	--	-10	µA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-60V，I_B=0	--	-1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V，I_C=0	--	-10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-1.5A，V_CE=-2V	100	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-3A，V_CE=-2V	100	400	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=-8A，V_CE=-2V	60	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-8A，I_B=-0.4A	--	-0.3	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-12A，I_B=-0.6A	--	-0.5	V
V_BE(sat)-1	基极-发射极饱和压降	I_C=-8A，I_B=-0.4A	--	-1.2	V
V_BE(sat)-2	基极-发射极饱和压降	I_C=-12A，I_B=-0.6A	--	-1.5	V

h_FE-2 分档（CLASSIFICATIONS）

档位	M	L	K
h_FE 范围	100 ~ 200	150 ~ 300	200 ~ 400

应用

DC/DC 变换器驱动开关电源中的 PNP 功率开关、低压侧同步整流、辅助驱动电路。
执行器驱动（Actuator Driver）汽车电子与工业控制中的电磁执行器、螺线管驱动、继电器驱动。
通用功率放大与开关功率放大电路、互补推挽输出对管（与 NPN 配对）、电机控制电路。
线性稳压与电流源低压差稳压器（LDO）调整管、恒流源、可调功率负载。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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