2SB649 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-120V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-180V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-1.0V（Max）@ I_C=-0.5A
集电极电流（I_C）：-1.5A；脉冲 I_CP：-3A
集电极耗散功率（P_C）：20W
直流电流增益 h_FE：60 ~ 320 @ I_C=-150mA，V_CE=-5V
封装：TO-126

2SB649 是一款硅 PNP 功率三极管，具有高击穿电压，适用于功率放大（Power Amplifier）应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-P	-180	-120	-5	-1.5	-1.0	60	320	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-120	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-1.5	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	-3	A
P_C	集电极耗散功率	20	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-1mA，I_E=0A	-180	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA，I_B=0A	-120	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-1mA，I_C=0A	-5.0	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-160V，I_E=0A	--	-10	µA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-500mA，I_B=-50mA	--	-1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-150mA，V_CE=-5V	--	-1.5	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-150mA，V_CE=-5V	60	320	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-500mA，V_CE=-5V	30	--	--

h_FE-1 档位分类（CLASSIFICATIONS）

档位	B	C	D
h_FE 范围	60 ~ 120	100 ~ 200	160 ~ 320

应用

功率放大功率放大（Power Amplifier）电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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