2SC4552 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：60V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：0.3V（Max）@ I_C=8A
集电极电流（I_C）：15A；脉冲 I_CM：30A；基极电流（I_B）：7.5A
最大耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：100 ~ 400 @ I_C=3A，V_CE=2V
结-壳热阻（R_{th j-c}）：4.17℃/W
封装：TO-220F（全塑封绝缘）

2SC4552 是一款硅 NPN 功率三极管，具有低集电极-发射极饱和压降（0.3V Max @8A）与良好的电流增益特性，适用于 DC/DC 变换器与执行器驱动电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-N	100	60	7.0	15	0.3	100	400	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	7.0	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	30	A
I_B	基极电流（连续）	7.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	4.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA，I_B=0	60	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=60V，I_E=0	--	10	µA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=60V，I_B=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V，I_C=0	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1.5A，V_CE=2V	100	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=3A，V_CE=2V	100	400	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=8A，V_CE=2V	60	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A，I_B=0.4A	--	0.3	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=12A，I_B=0.6A	--	0.5	V
V_BE(sat)-1	基极-发射极饱和压降	I_C=8A，I_B=0.4A	--	1.2	V
V_BE(sat)-2	基极-发射极饱和压降	I_C=12A，I_B=0.6A	--	1.5	V

h_FE-2 档位分类（CLASSIFICATIONS）

档位	M	L	K
h_FE 范围	100 ~ 200	150 ~ 300	200 ~ 400

应用

DC/DC 变换器驱动DC/DC 变换器中的驱动电路。
执行器驱动执行器（Actuator）驱动电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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