2SC5200 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：230V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：230V
集电极电流（I_C）：15A；基极电流（I_B）：1.5A
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
高电流能力
直流电流增益 h_FE：55 ~ 160 @ I_C=1A，V_CE=5V
与 2SA1943 互补
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.83℃/W
封装：TO-3PL

2SC5200 是一款硅 NPN 高压大电流功率三极管，推荐用于 100W 高保真音频频率放大器输出级，与 2SA1943 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3PL	Single-N	230	230	5	15	3.0	55	160	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	230	V
V_CEO	集电极-发射极电压	230	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_B	基极电流（连续）	1.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.83	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA，I_B=0	230	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=230V，I_E=0	--	5.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V，I_C=0	--	5.0	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A，V_CE=5V	55	160	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=7A，V_CE=5V	35	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=8.0A，I_B=0.8A	--	3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=7A，V_CE=5V	--	1.5	V

h_FE-1 分档

档位	R	O
h_FE 范围	55 ~ 110	80 ~ 160

应用

功率放大音频功率放大（Power Amplifier）应用。
高保真功放推荐用于 100W 高保真音频频率放大器输出级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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