2SC5706 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：50V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
低饱和压降：V_CE(sat) 0.135V（Max）@ I_C=1.0A；0.24V（Max）@ I_C=2.0A
集电极电流（I_C）：5A；脉冲 I_CP=7.5A
最大耗散功率（P_C）：15W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：200 ~ 560 @ I_C=0.5A，V_CE=2V
高速开关
封装：TO-251 / TO-252

2SC5706 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 FBET 与 MBIT 工艺，具有低饱和压降、高速开关与大电流能力，与 2SA2039 互补，适用于 DC/DC 变换器、继电器驱动、灯驱动、电机驱动等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-251/TO-252	Single-N	100	50	6	5	0.135/0.24	200	560	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	7.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA，I_B=0	50	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10µA，I_C=0	6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=40V，I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V，I_C=0	--	1.0	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=0.5A，V_CE=2V	200	560	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=1.0A，I_B=50mA	--	0.135	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=2.0A，I_B=100mA	--	0.24	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2.0A，I_B=100mA	--	1.2	V

应用

DC/DC 变换器DC/DC 变换器中的功率开关与驱动。
继电器/灯驱动继电器驱动、灯驱动电路。
电机驱动电机驱动电路中的开关与驱动。
互补高速开关与 2SA2039 配对组成互补高速开关电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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