2SD1271 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：80V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：130V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：0.5V（Max）@ I_C=5.0A
集电极电流（I_C）：7A；脉冲 I_CP：15A
最大耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：90 ~ 260 @ I_C=3A，V_CE=2V
与 2SB946 互补配对
封装：TO-220F（全塑封绝缘）

2SD1271 是一款硅 NPN 外延平面功率三极管，具有低集电极-发射极饱和压降与良好的 hFE 线性度，适用于功率开关电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-N	130	80	7	7	0.5	90	260	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	130	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	7	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	15	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.125	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA，I_B=0A	80	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V，I_E=0A	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V，I_C=0A	--	50	µA
h_FE1	直流电流增益	V_CE=2V，I_C=0.1A	45	--	--
h_FE2	直流电流增益	V_CE=2V，I_C=3A	90	260	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A，I_B=0.25A	--	0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=5A，I_B=0.25A	--	1.5	V

hFE 档位分类

档位	Q	P
h_FE 范围	90 ~ 180	130 ~ 260

应用

功率开关功率开关电路。
互补配对与 2SB946 配对组成互补功率电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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