2SD669A 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：160V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：180V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：1.0V（Max）@ I_C=0.5A
集电极电流（I_C）：1.5A；峰值 I_CM：3A
集电极耗散功率（P_C）：20W
直流电流增益 h_FE：60 ~ 200 @ V_CE=5V，I_C=150mA
封装：TO-126

2SD669A 是一款硅 NPN 功率三极管，具有高击穿电压，适用于大功率开关、DC-DC 变换器与 DC-AC 逆变器等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	180	160	5	1.5	1.0	60	200	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	160	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	1.5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	3	A
P_C	集电极耗散功率	20	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA，I_B=0A	160	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA，I_E=0A	180	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA，I_C=0A	5.0	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=160V，I_E=0A	--	10	µA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=500mA，I_B=50mA	--	1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=150mA，V_CE=5V	--	1.5	V
h_FE-1	直流电流增益	V_CE=5V，I_C=150mA	60	200	--
h_FE-2	直流电流增益	V_CE=5V，I_C=500mA	30	--	--

h_FE-1 档位分类（CLASSIFICATIONS）

档位	B	C
h_FE 范围	60 ~ 120	100 ~ 200

应用

大功率开关大功率开关电路。
DC-DC / DC-AC 变换DC-DC 变换器与 DC-AC 逆变器。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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