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2SJ265 国产替代P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：-60V
栅源电压（V_GS）：±15V
漏极电流（I_D）：-15A（连续），脉冲 -60A
耗散功率（P_D）：30W @ T_C=25℃
导通电阻（R_DS(on)）：0.08Ω（Max）@ V_GS=-10V，I_D=-9A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：-1.0 ~ -2.0V
低导通电阻、高速开关、低电压驱动
封装：TO-220F（绝缘）

2SJ265 是一款 -60V / -15A 的 P 沟道功率 MOSFET，导通电阻低（0.08Ω）、开关速度快、可由低电压直接驱动，适合电机驱动、DC-DC 转换器、电源开关与电磁阀驱动等场合。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	T_J (℃)
TO-220F	P-Channel	-60	±15	-15	-60	30	0.08	-1.0 ~ -2.0	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	-60	V
V_GS	栅源电压（连续）	±15	V
I_D	漏极电流（连续，T_C=25℃）	-15	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	-60	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	30	W
T_J	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	4.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=-1mA	-60	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=-60V；V_GS=0	--	-100	µA
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±12V；V_DS=0	--	±10	µA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=-10V；I_D=-1mA	-1.0	-2.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=-10V；I_D=-9A	--	0.08	Ω
V_SD	二极管正向压降	I_S=-15A；V_GS=0	--	1.7	V

应用

电机驱动用于直流电机、步进电机的高边开关与驱动。
DC-DC 转换器用于降压/升压变换器的功率开关，低导通电阻降低损耗。
电源开关与电磁阀驱动用于负载通断控制与电磁阀、继电器驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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