APT5010JVRU2 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：500V
栅源电压（V_GS）：±30V（瞬态 ±40V）
漏极电流（I_D）：44A（连续，T_C=25℃），脉冲 176A
耗散功率（P_D）：450W @ T_C=25℃
导通电阻（R_DS(on)）：0.100Ω（Max）@ V_GS=10V，I_D=22A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
Power MOS V 技术：降低 JFET 效应、提高元胞密度、开关速度快
100% 雪崩测试，漏电流低
封装：SOT-227（ISOTOP，螺钉安装）

APT5010JVRU2 是一款 500V / 44A / 0.100Ω 的高压 N 沟道功率 MOSFET，采用 SOT-227（ISOTOP）螺钉安装封装。Power MOS V 技术有效降低 JFET 效应、提升元胞密度并优化栅极布局，具有开关速度快、通态电阻低、漏电流小、雪崩耐量高的特点，适用于开关电源、逆变器、电机驱动等高功率开关场合。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	T_J (℃)
SOT-227	N-Channel	500	±30	44	176	450	0.100	2.0 ~ 4.0	150

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	500	V
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
V_GSM	栅源电压（瞬态）	±40	V
I_D	漏极电流（连续，T_C=25℃）	44	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	176	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	450	W
T_J	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.28	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=250µA	500	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=500V；V_GS=0V	--	250	µA
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=2.5mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=22A	--	0.100	Ω

应用

开关电源开关模式电源（SMPS）的功率开关级。
逆变器DC/AC 逆变与功率变换电路。
电机驱动工业电机驱动与调速控制。
大功率开关高压大电流负载开关与斩波电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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