APT8020JLL 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：800V
连续漏极电流（I_D）：33A @ T_C=25℃
脉冲漏极电流（I_DM）：142A
静态导通电阻（R_DS(on)）：0.20Ω（Max）@ V_GS=10V，I_D=16.5A
栅源电压（V_GS）：±30V（瞬态 ±40V）
耗散功率（P_D）：520W @ T_C=25℃
100% 雪崩测试（单脉冲雪崩能量 3000mJ）
阈值电压（V_GS(th)）：3.0 ~ 5.0V
封装：SOT-227（ISOTOP）

APT8020JLL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（Power MOS 7 系列），采用 SOT-227（ISOTOP）绝缘封装，具有 800V/33A 的电压电流能力与 0.20Ω 的低导通电阻，开关损耗低、批次一致性好且通过 100% 雪崩测试，适用于电机驱动、DC-DC 变换器、功率开关与电磁阀驱动等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	V_GS (V)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	T_J (℃)	Structure
SOT-227	800	33	142	±30	520	0.20	3.0 ~ 5.0	-55 ~ 150	N-Channel MOSFET

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	800	V
I_D	连续漏极电流 @ T_C=25℃	33	A
I_DM	脉冲漏极电流	142	A
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
V_GSM	栅源电压（瞬态）	±40	V
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	520	W
I_AR	雪崩电流（重复与非重复）	33	A
E_AS	单脉冲雪崩能量	3000	mJ
T_J, T_stg	结温 / 存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.24	℃/W
R_th(j-a)	结-环境热阻	40	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=250µA	800	--	V
R_DS(on)	导通电阻	V_GS=10V；I_D=16.5A	--	0.20	Ω
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=2.5mA	3.0	5.0	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=800V；V_GS=0	--	100	µA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=640V；V_GS=0；T_C=125℃	--	500	µA
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0	--	±100	nA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=33A；V_GS=0	--	1.3	V

应用

电机驱动电机驱动（Motor drive）应用。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC-DC converter）应用。
功率开关功率开关（Power switch）应用。
电磁阀驱动电磁阀驱动（Solenoid drive）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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