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FCPF7N60 国产替代N-Channel MOSFET Transistor

N-Channel MOSFET Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：600V（Min）
栅源电压（V_GS）：±30V
漏极电流（I_D）：7A @ T_C=25℃（脉冲 21A）
导通电阻：R_DS(on)=0.6Ω（Max）@ V_GS=10V
总耗散功率（P_D）：31W @ T_C=25℃
100% 雪崩测试，批次一致性好
封装：TO-220F 全塑封绝缘封装

FCPF7N60 是一款 600V / 7A 的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220F 全塑封绝缘封装，100% 雪崩测试，批次一致性好、可靠性高，适用于电机驱动、DC-DC 变换器、电源开关与电磁阀驱动等应用。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)
TO-220F	600	±30	7	21	31	0.6	5.0

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	600	V
V_GS	栅-源电压	±30	V
I_D	漏极连续电流 @ T_C=25℃	7	A
I_DM	漏极单脉冲电流	21	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	31	W
T_j	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(ch-c)	沟道-壳热阻	4.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BVDSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	600	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	3.0	5.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=3.5A	--	0.6	Ω
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	漏-源漏电流	V_DS=600V；V_GS=0V	--	1	µA
V_SD	二极管正向电压	I_SD=7A；V_GS=0V	--	1.4	V

应用

电机驱动电机驱动（Motor drive）应用。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC-DC converter）应用。
电源开关电源开关（Power switch）应用。
电磁阀驱动电磁阀驱动（Solenoid drive）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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