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FQPF12N60C 国产替代N-Channel QFET MOSFET

N-Channel QFET MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：600V
栅源电压（V_GS）：±30V
漏极电流（I_D）：12A（连续，T_C=25℃），脉冲 48A
耗散功率（P_D）：51W @ T_C=25℃
导通电阻（R_DS(on)）：0.65Ω（Max）@ V_GS=10V，I_D=6A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
平面条纹 DMOS 工艺，开关速度快、抗雪崩能力强
栅极电荷低（典型 48nC），反向传输电容小（典型 21pF）
100% 雪崩测试
封装：TO-220F（绝缘型）

FQPF12N60C 是一款 600V / 12A / 0.65Ω 的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220F 绝缘封装与平面条纹 DMOS 工艺，导通电阻低、开关速度快、抗雪崩能力强，适用于高效开关电源、有源功率因数校正（PFC）与半桥拓扑的电子镇流器等场合。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	T_J (℃)
TO-220F	N-Channel	600	±30	12	48	51	0.65	2.0 ~ 4.0	150

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	600	V
V_GS	栅源电压	±30	V
I_D	漏极电流（连续，T_C=25℃）	12	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	48	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	51	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	2.43	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	600	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=6A	--	0.65	Ω
I_GSS	栅-体泄漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=600V；V_GS=0	--	1	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=12A；V_GS=0	--	1.4	V

应用

高效开关电源AC-DC / DC-DC 开关电源的功率开关。
有源功率因数校正PFC 电路的升压开关管。
电子镇流器半桥拓扑的荧光灯电子镇流器。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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