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GT20J341 国产替代Discrete IGBT

Discrete IGBT ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CES）：600V
低饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=20A
集电极电流（I_C）：20A @ T_C=25℃（脉冲 80A）
集电极耗散功率（P_D）：45W @ T_C=25℃
内置快速恢复二极管
高速开关能力
封装：TO-220F（TO-220SIS）绝缘型封装

GT20J341 是一款 600V / 20A 的 N 沟道 IGBT，采用第六代低饱和压降工艺并内置快速恢复二极管，开关速度快、导通损耗低，专为电机驱动器等应用设计。

参数

核心参数表

Package	V_CES (V)	V_GES (V)	I_C (A)	I_CM (A)	P_D (W)	V_CE(sat) (V)	V_GE(th) (V)	T_J (℃)
TO-220F	600	±25	20	80	45	2.0	6.5	150

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CES	集电极-发射极电压	600	V
V_GES	栅极-发射极电压	±25	V
I_C	集电极连续电流 @ T_C=25℃	20	A
I_CM	集电极脉冲电流	80	A
I_F	二极管正向电流 @ T_C=25℃	20	A
P_D	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	45	W
T_j	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻（IGBT）	2.78	℃/W
R_th(j-c)	结-壳热阻（二极管）	4.23	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CES	集电极-发射极击穿电压	V_GE=0；I_C=1mA	600	--	V
V_GE(th)	栅极-发射极阈值电压	I_C=2mA；V_CE=5V	3.5	6.5	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=20A；V_GE=15V	--	2.0	V
I_CES	零栅压集电极电流	V_CE=600V；V_GE=0	--	0.1	mA
I_GES	栅极-发射极漏电流	V_GE=±25V；V_CE=0	--	±100	nA
V_F	二极管正向电压	I_F=20A	--	2.1	V

应用

电机驱动电机驱动器（Motor Drivers）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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