当前位置：首页 / 产品 / IGBT 单管

HGTG30N60A4D 国产替代N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（BV_CES）：600V
集电极电流：75A @ T_C=25℃（60A @ T_C=110℃，脉冲 240A）
集电极耗散功率（P_D）：463W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat) 典型 1.8V @ I_C=30A
内置反并联超快恢复二极管（t_rr≈40ns）
100kHz 运行（390V、30A）
封装：TO-247

HGTG30N60A4D 是一款 600V SMPS 系列的 N 沟道 IGBT，内置反并联超快恢复二极管，兼具 MOSFET 的高输入阻抗与双极晶体管的低导通损耗，专为高频开关模式电源优化，适用于服务器/工作站电源、PFC、UPS、逆变器与电机驱动等应用。

参数

核心参数表

Package	V_CES (V)	V_GES (V)	I_C (A)	I_CM (A)	P_D (W)	V_CE(sat) (V)	V_GE(th) (V)	T_J (℃)
TO-247	600	±20	75	240	463	2.6	7.0	150

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
BV_CES	集电极-发射极电压	600	V
I_C25	集电极连续电流 @ T_C=25℃	75	A
I_C110	集电极连续电流 @ T_C=110℃	60	A
I_CM	集电极脉冲电流	240	A
V_GES	栅极-发射极电压（连续）	±20	V
V_GEM	栅极-发射极电压（脉冲）	±30	V
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	463	W
T_j / T_stg	工作/存储结温	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_θJC	结-壳热阻（IGBT）	0.27	℃/W
R_θJC	结-壳热阻（二极管）	0.65	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_CES	集电极-发射极击穿电压	I_C=250µA；V_GE=0	600	--	V
I_CES	集电极截止电流	V_CE=600V；T_j=25℃	--	250	µA
I_CES	集电极截止电流	V_CE=600V；T_j=125℃	--	2.8	mA
V_GE(th)	栅极-发射极阈值电压	I_C=250µA；V_CE=V_GE	4.5	7.0	V
I_GES	栅极-发射极漏电流	V_GE=±20V	--	±250	nA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=30A；V_GE=15V；T_j=25℃	--	2.6	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=30A；V_GE=15V；T_j=125℃	--	2.0	V
V_EC	二极管正向电压	I_EC=30A	--	2.5	V
t_rr	二极管反向恢复时间	I_EC=30A；dI_EC/dt=200A/µs	--	55	ns

应用

服务器电源AC-DC 商用电源，服务器与工作站电源应用。
高频 SMPS / PFC100kHz（390V、30A）高频开关与功率因数校正应用。
UPS / 逆变器不间断电源与逆变应用。
电机驱动电机驱动（Motor drive）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号