IRF3205 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：55V
栅源电压（V_GS）：±20V
漏极电流（I_D）：110A（连续，T_C=25℃），脉冲 390A
耗散功率（P_D）：200W @ T_C=25℃
超低导通电阻（R_DS(on)）：8.0mΩ（Max）@ V_GS=10V，I_D=62A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
175℃ 工作结温，动态 dv/dt 能力，开关速度快
100% 雪崩测试（全雪崩额定）
封装：TO-220AB（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

IRF3205 是一款 55V / 110A / 8.0mΩ 的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，属 HEXFET 系列。超低导通电阻与快速开关特性使其在大电流、低压降场合效率突出，175℃ 结温与全雪崩额定带来较高 ruggedness，适用于电机驱动、开关电源、逆变器与电池供电设备。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	T_J (℃)
TO-220AB	N-Channel	55	±20	110	390	200	0.008	2.0 ~ 4.0	175

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DS	漏源电压	55	V
V_GS	栅源电压	±20	V
I_D	漏极电流（连续，T_C=25℃）	110	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	390	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	200	W
T_J	工作结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.75	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=250µA	55	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=55V；V_GS=0V	--	25	µA
I_GSS	栅-体泄漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=250µA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=62A	--	0.008	Ω
V_SD	体二极管正向压降	I_S=62A；V_GS=0V	--	1.3	V

应用

开关电源开关模式电源（SMPS）的功率开关级。
电机驱动直流电机驱动与 PWM 调速。
逆变器 / DC-DC低压大电流逆变与升降压变换。
电池供电设备电池供电系统的负载开关与保护。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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