IRF350 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏-源电压（V_DSS）：400V（Min）
漏极电流（I_D）：14A @ T_C=25℃
静态导通电阻：R_DS(on)=0.30Ω（Max）@ V_GS=10V，I_D=9A
总耗散功率（P_D）：150W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
重复雪崩与 dv/dt 额定，可靠性高
封装：TO-3（TO-204AE 金属壳，1 栅极 / 2 源极 / 3 漏极）

IRF350 是一款硅 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-3（TO-204AE）金属封装，具有 400V/14A 的电压电流能力与 0.30Ω 的低导通电阻，采用 HEXFET 技术实现低导通损耗、高跨导与优异的体二极管恢复能力，适用于开关电源、电机控制、逆变与音频功放等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-3	Single-N	400	±20	14	56	150	0.30	2.0 ~ 4.0	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	400	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	连续漏极电流 @ T_C=25℃	14	A
I_D	连续漏极电流 @ T_C=100℃	9.0	A
I_DM	脉冲漏极电流（单脉冲）	56	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.83	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V；I_D=1mA	400	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=320V；V_GS=0V	--	25	µA
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)-1	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=9A	--	0.30	Ω
R_DS(on)-2	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=14A	--	0.40	Ω
V_SD	体二极管正向压降	I_S=14A；V_GS=0V	--	1.7	V

应用

开关电源开关电源（Switching power supplies）应用。
电机控制电机控制（Motor controls）应用。
逆变与斩波器逆变器与斩波器（Inverters / choppers）应用。
音频功放与脉冲电路音频功放与高能脉冲电路（Audio amplifiers / high energy pulse circuits）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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