当前位置：首页 / 产品 / MOSFET 单管

IRF360 国产替代N-Channel MOSFET Transistor

N-Channel MOSFET Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：400V（Min）
栅源电压（V_GS）：±20V
漏极电流（I_D）：25A @ T_C=25℃（峰值 100A）
导通电阻：R_DS(on)=0.2Ω（Max）@ V_GS=10V
总耗散功率（P_D）：300W @ T_C=25℃
适用于音频放大、高能脉冲电路与电机控制
封装：TO-3 金属封装

IRF360 是一款 400V / 25A 的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-3 金属封装，导通电阻低、跨导高，具备优良的反向能量与二极管恢复 dv/dt 能力，适用于开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大与高能脉冲电路等应用。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)
TO-3	400	±20	25	100	300	0.2	4.0

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	400	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极连续电流 @ T_C=25℃	25	A
I_DM	漏极峰值电流	100	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	300	W
T_j	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.42	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V；I_D=1mA	400	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=250µA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=16A	--	0.2	Ω
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=320V；V_GS=0V	--	25	µA
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_SD	二极管正向电压	I_S=25A；V_GS=0V	--	1.8	V

应用

音频放大器音频放大器（Audio amplifiers）应用。
高能脉冲电路高能脉冲电路（High energy pulse circuits）应用。
电机控制电机控制（Motor controls）应用。
开关电源开关电源（Switching power supplies）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号