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IRF630 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：200V
栅源电压（V_GS）：±20V
漏极电流（I_D）：9A（连续，T_C=25℃），脉冲 36A
耗散功率（P_D）：74W @ T_C=25℃
导通电阻（R_DS(on)）：0.40Ω（Max）@ V_GS=10V，I_D=5.4A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
第三代功率 MOSFET，开关速度快、易于并联
动态 dV/dt 能力与重复雪崩能力
封装：TO-220AB（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

IRF630 是一款 200V / 9A / 0.40Ω 的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，为第三代功率 MOSFET，开关速度快、通态电阻低、易于并联，适用于开关电源、电机驱动与各类功率开关电路。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	T_J (℃)
TO-220AB	N-Channel	200	±20	9	36	74	0.40	2.0 ~ 4.0	150

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DS	漏源电压	200	V
V_GS	栅源电压	±20	V
I_D	漏极电流（连续，T_C=25℃）	9	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	36	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	74	W
T_J	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	200	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=200V；V_GS=0V	--	25	µA
I_GSS	栅-体泄漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=5.4A	--	0.40	Ω
V_SD	体二极管正向压降	I_S=9A；V_GS=0V	--	2.0	V

应用

开关电源开关模式电源的功率开关级。
电机驱动直流电机与步进电机的驱动。
通用功率开关逆变、变换与负载开关电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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