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IRFJ240 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：200V
栅源电压（V_GS）：±20V
漏极电流（I_D）：13A（连续，T_C=25℃）
耗散功率（P_tot）：70W @ T_C=25℃
导通电阻（R_DS(on)）：0.18Ω（Max）@ V_GS=10V，I_D=7A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2 ~ 4V
100% 雪崩测试，批次一致性高
全密封 TO-66 金属封装，气密性好，适合高可靠场合
封装：TO-66（TO-213AA，1 栅极 / 2 源极 / 外壳=漏极）

IRFJ240 是一款 200V / 13A / 0.18Ω 的 N 沟道功率 MOSFET，采用全密封 TO-66 金属封装（TO-213AA），气密性与抗辐照性能好，适用于开关稳压器、变换器、电磁阀与继电器驱动等低压高速功率开关场合，也适合航天、军工等高可靠应用。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	P_tot (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)
TO-66	N-Channel	200	±20	13	70	0.18	2 ~ 4	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压（V_GS=0）	200	V
V_GS	栅源电压	±20	V
I_D	漏极电流（连续，T_C=25℃）	13	A
P_tot	耗散功率 @ T_C=25℃	70	W
T_j	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.8	℃/W
R_th(j-a)	结-环境热阻	50	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	200	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2	4	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=7A	--	0.18	Ω
I_GSS	栅源泄漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=160V；V_GS=0	--	250	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_F=13A；V_GS=0	--	2.0	V

应用

高可靠功率开关航天、军工等对气密性要求高的功率开关场合。
开关稳压器 / 变换器低压高速开关电源与 DC-DC 变换器。
电磁阀 / 继电器驱动感性负载的低压大电流驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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