IRFP250N 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏-源电压（V_DSS）：200V
漏极电流（I_D）：30A @ T_C=25℃（21A @ T_C=100℃）
低导通电阻：R_DS(on)=75mΩ（Max）@ V_GS=10V，I_D=18A
栅-源电压（V_GS）：±20V
总耗散功率（P_D）：214W @ T_C=25℃
工作结温高至 175℃
100% 雪崩测试，批次一致性好
封装：TO-247（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

IRFP250N 是一款硅 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，具有 200V 的漏-源耐压、30A 的漏极电流能力与 75mΩ 的低导通电阻，支持 175℃ 高结温与 100% 雪崩测试，适用于开关电源、逆变器、直流电机驱动与负载开关等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-247	Single-N	200	±20	30	120	214	75	2.0 ~ 4.0	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	200	V
V_GSS	栅-源电压	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	30	A
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=100℃	21	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	120	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	214	W
T_j	工作结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(ch-c)	结-壳热阻	0.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	200	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=18A	--	75	mΩ
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±0.1	µA
I_DSS	漏-源漏电流	V_DS=200V；V_GS=0V；T_C=25℃	--	25	µA
I_DSS	漏-源漏电流（高温）	V_DS=160V；V_GS=0V；T_C=125℃	--	250	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_SD=18A；V_GS=0V	--	1.3	V

应用

开关电源开关电源（Switching applications）应用。
逆变器逆变器与 UPS 应用。
直流电机驱动直流电机驱动与负载开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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